IBM ogłasza nanorurkowy przełom
29 października 2012, 09:30Badacze z IBM-a poinformowali na łamach Nature o dokonaniu przełomu, który zbliża nas do pojawienia się na rynku układów scalonych wykorzystujących węglowe nanorurki (CNT). Inżynierowie z laboratorium w Nowym Jorku opracowali technologię umieszczania dużej liczby tranzystorów CNT na pojedynczym układzie scalonym
Powstał 100-milimetrowy plaster grafenowy
25 stycznia 2010, 13:16Naukowcy z Electro-Optics Center (EOC) Material Division na Pennsylvania State University stworzyli 100-milimetrowy plaster grafenowy. To niezwykle ważny krok w kierunku wykorzystania grafenu do budowy urządzeń elektronicznych.
German zamiast krzemu
11 grudnia 2014, 11:47Purdue University ma na swoim koncie ważne osiągnięcie w historii rozwoju półprzewodników. To właśnie naukowcy z tej uczelni dostarczyli w 1947 roku bardzo ważny element pierwszego tranzystora – półprzewodnik z oczyszczonego germanu. Teraz specjaliści z tej samej uczelni stworzyli pierwszy układ elektroniczny (CMOS), w którym krzem zastąpiono germanem.
Uzyskano działającą synapsę z nanorurek węglowych
22 kwietnia 2011, 10:10Inżynierowie z Uniwersytetu Południowej Kalifornii uzyskali funkcjonującą synapsę z węglowych nanorurek. Rozwiązanie będzie można wykorzystać w protezach mózgowych lub po spięciu wielu takich synaps, do stworzenia syntetycznego mózgu.
Memrystorowo-tranzystorowa hybryda
27 listopada 2008, 13:00Podczas Memristor and Memristor System Symposium, które odbyło się w Berkeley, zademonstrowano pierwszy w historii układ będący połączeniem memrystorów z tranzystorami.
Chiny gonią Zachód
27 grudnia 2012, 08:27Instytut Mikroelektroniki Chińskiej Akademii Nauk poinformował o stworzeniu rodzimego 22-nanometrowego tranzystora MOSFET z metalową bramką i materiałami o wysokiej stałej dielektrycznej. Chińczycy zapewniają, że urządzenie charakteryzuje się światowej klasy wydajnością.
« poprzednia strona następna strona » … 7 8 9 10 11 12 13
